全内反射是绝大部分大功率半导体激光器常用的波导模式限制机制。然而为了实现单模工作，它需要波导的折射率对比度非常小，此外由于自聚焦非线性效应会导致模式在出光端面上不均匀而形成一些热点。因此，连续波衍射限制的大功率半导体激光器通常是比较难实现的，引起了研究者的大量关注。为了控制激光器的横向模式，人们提出了基于布拉格反射而不是全内反射的光学波导模式限制机制，这种波导被称为横向布拉格共振波导。在传统的横向布拉格共振波导里，需要制作相移结构以破除模式简并，这增加了激光器的工艺制造难度。本文提出使用采样光栅而不是普通光栅来制作横向布拉格共振波导的大功率半导体激光器。光栅中间的横向相移通过移动采样周期的一半来实现，从而获得良好的单横模共振。理论上研究了模式增益，场分布，倾斜端面滤波，空间烧孔效应，近场和远场波束模式等特性。由于采样光栅是均匀的普通光栅与微米级采样图案相结合，因此很容易通过全息曝光和常规光刻实现低成本的制造。本文所提出的方法将有利于大功率半导体激光器以及量子级联激光器等。
详细请参考：
Lianyan Li et.al, Transverse modal control of wide-stripe high power semiconductor lasers using sampled grating, Optics Express, 26(9), 11171-11180, 2018.
